芯片堆栈

2017-11-11 01:08:23

新泽西州贝尔实验室的研究人员表示,垂直而不是水平构建晶体管可能是制造更快,更密集的微芯片的关键在今天的水平晶体管中,使用接近其小型化极限的光刻方法蚀刻特征但研究人员本周在华盛顿举行的国际电子设备会议上表示,垂直晶体管可以蚀刻到硅晶片的深处,允许它们堆叠在一起新设计还允许通过晶体管的两个面控制电流,